鍍膜
鍍膜是一種常用的表面處理工藝,一般是在真空環(huán)境下,將某種金屬或非金屬以氣相的形式沉積到材料表面,形成一層致密的薄膜,鍍膜質(zhì)量對(duì)半導(dǎo)體器件的功能形成至關(guān)重要。新越半導(dǎo)體為多家高校/科研機(jī)構(gòu)提供MEMS加工代工服務(wù),熟練掌握電子束蒸發(fā)、磁控濺射、LPCVD、PECVD、原子層沉積等多種鍍膜技術(shù)。
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鍍膜服務(wù):
氧化氮化膜、金屬膜、光學(xué)膜、復(fù)合膜等
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鍍膜材料:
● 金屬:Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Pd、Zn、Mo、W、Ta 、Nb等
● 非金屬:Si、SiO2、SiNx、Al2O3、HFO2、MgF2、ITO、Ta2O5等
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鍍膜基底:
● 硅片、石英玻璃片、藍(lán)寶石片、PET、Pi等
● 基底尺寸:2-8英寸
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鍍膜厚度及表面:
● 厚度: nm級(jí)別、um級(jí)別,可按需定制
● 表面:?jiǎn)蚊?、雙面
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鍍膜技術(shù):
● 電子束蒸發(fā):是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn),在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法
● 磁控濺射:物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料
● LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition低壓力化學(xué)氣相沉積法廣泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅沉積
● PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法
● ALD原子層沉積:基于原子層沉積過程的自限制反應(yīng)過程,所鍍上的膜可以達(dá)到單層原子的厚度,是先進(jìn)的納米表面處理技術(shù)