砷化稼晶片
可提供高質(zhì)量砷化鎵襯底片GaAs wafer定制服務。
- 尺寸：1",2",3",4",6";
- 晶向：(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角；
- 類型：N-type摻Si,P- type摻Zn,半絕緣Undope;
- 厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;
- 提供“激光領域”用高質(zhì)量超薄雙拋GaAs;提供光學透過可用的雙拋半絕緣GaAs;
- 提供高質(zhì)量低位錯的EPD<500、<300、<100、<50的高質(zhì)量LD級外延用GaAs;
