摻雜技術(shù)是將所需的雜質(zhì)以定的方式摻入到半導(dǎo)體基片規(guī)定的區(qū)城內(nèi)，井達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布，以達(dá)到改變材料電學(xué)性質(zhì)、制造PN結(jié)、互連線的目的。在微機(jī)械加工中，通過摻雜技術(shù)來實(shí)現(xiàn)自停止蝕刻及構(gòu)造薄膜層。 半導(dǎo)體的常用摻雜技術(shù)主要有兩種：高溫（熱）擴(kuò)散和離子注入。高溫?cái)U(kuò)散是利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)穿過硅晶體結(jié)構(gòu)。離子注入是通過高溫離子轟擊，使雜質(zhì)注入硅片，雜質(zhì)通過與硅片發(fā)生原子級(jí)的高能碰撞，才能被注入。半導(dǎo)體在經(jīng)過離子注入以后，還必須要進(jìn)行退火處理，以消除一些晶格缺陷和使雜質(zhì)“激活"。 新越半導(dǎo)體為多家高校/科研機(jī)構(gòu)提供MEMS加工代工服務(wù)，熟練掌握離子注入、擴(kuò)散、退火等多種半導(dǎo)體摻雜技術(shù)。